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Herstellerteilenummer | CV201210-R18K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CV201210-R18K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CV201210 |
CV201210-R18K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Multilayer |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 180nH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 250mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 400 mOhm Max |
Q @ Freq | 20 @ 25MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 185MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 25MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.041" (1.05mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CV201210-R18K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CV201210-R18K-FT |
CW160808-82NJ
Bourns Inc.
CW160808-8N2J
Bourns Inc.
CW160808-R10G
Bourns Inc.
CW160808-R12G
Bourns Inc.
CW160808-R12J
Bourns Inc.
CW160808-R15G
Bourns Inc.
CW160808-R15J
Bourns Inc.
CW160808-R18G
Bourns Inc.
CW160808-R18J
Bourns Inc.
CW160808-R22G
Bourns Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel