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Herstellerteilenummer | CW201212-5N6J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CW201212-5N6J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CW201212 |
CW201212-5N6J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ceramic |
Induktivität | 5.6nH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 600mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 80 mOhm |
Q @ Freq | 60 @ 1GHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 5.8GHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 250MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.083" L x 0.059" W (2.10mm x 1.50mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.059" (1.50mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CW201212-5N6J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CW201212-5N6J-FT |
RL110-101K-RC
Bourns Inc.
RL110-331K-RC
Bourns Inc.
RL110-102K-RC
Bourns Inc.
RL110-181K-RC
Bourns Inc.
RL110-220M-RC
Bourns Inc.
RL110-271K-RC
Bourns Inc.
RL110-470K-RC
Bourns Inc.
RL110-471K-RC
Bourns Inc.
RL110-681K-RC
Bourns Inc.
CW252016-R33J
Bourns Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel