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Herstellerteilenummer | CW201212-8N2J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CW201212-8N2J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CW201212 |
CW201212-8N2J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ceramic |
Induktivität | 8.2nH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 600mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 60 mOhm |
Q @ Freq | 60 @ 1GHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 5.5GHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 250MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.083" L x 0.059" W (2.10mm x 1.50mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.059" (1.50mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CW201212-8N2J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CW201212-8N2J-FT |
RL110-181K-RC
Bourns Inc.
RL110-220M-RC
Bourns Inc.
RL110-271K-RC
Bourns Inc.
RL110-470K-RC
Bourns Inc.
RL110-471K-RC
Bourns Inc.
RL110-681K-RC
Bourns Inc.
CW252016-R33J
Bourns Inc.
CW252016-R82J
Bourns Inc.
CW252016-1R0J
Bourns Inc.
CW252016-R15J
Bourns Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel