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Herstellerteilenummer | CW252016-10NG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CW252016-10NG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CW252016 |
CW252016-10NG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ceramic |
Induktivität | 10nH |
Toleranz | ±2% |
Aktuelle Bewertung | 600mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 80 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 500MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 4.1GHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1008 (2520 Metric) |
Supplier Device Package | 1008 (2520 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.071" (1.80mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CW252016-10NG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CW252016-10NG-FT |
SDR0503-682JL
Bourns Inc.
SDR0503-392JL
Bourns Inc.
SDR0503-221KL
Bourns Inc.
SDR0503-470KL
Bourns Inc.
SDR0503-120ML
Bourns Inc.
SDR0503-123JL
Bourns Inc.
SDR0503-822JL
Bourns Inc.
SDR0503-681KL
Bourns Inc.
SDR0503-122JL
Bourns Inc.
SDR0503-151KL
Bourns Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel