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Herstellerteilenummer | CXDM1002N TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CXDM1002N TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CXDM1002N TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 5V |
Vgs (Max) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.2W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-89 |
Paket / fall | TO-243AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CXDM1002N TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CXDM1002N TR-FT |
DMP1012UFDF-13
Diodes Incorporated
DMP1012UFDF-7
Diodes Incorporated
DMP2021UFDF-13
Diodes Incorporated
DMP2021UFDF-7
Diodes Incorporated
DMP2023UFDF-13
Diodes Incorporated
DMP2035UFDF-13
Diodes Incorporated
DMP2040UFDF-13
Diodes Incorporated
DMT2004UFDF-13
Diodes Incorporated
DMT3006LFDF-13
Diodes Incorporated
DMT3008LFDF-13
Diodes Incorporated
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel