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Herstellerteilenummer | CY7C1612KV18-300BZXI |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CY7C1612KV18-300BZXI |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CY7C1612KV18-300BZXI Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Synchronous, QDR II |
Speichergröße | 144Mb (8M x 18) |
Taktfrequenz | 300MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 165-LBGA |
Supplier Device Package | 165-FBGA (15x17) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1612KV18-300BZXI Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CY7C1612KV18-300BZXI-FT |
S29GL512T10DHI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N11DFIV22
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DFI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10DHI010
Cypress Semiconductor Corp
S29AL016J55FFA023
Cypress Semiconductor Corp
S29AL016J55FFM023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10DHA020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10DHA023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N11DFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DAI010
Cypress Semiconductor Corp
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel