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Herstellerteilenummer | CY7C1613KV18-300BZI |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CY7C1613KV18-300BZI |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CY7C1613KV18-300BZI Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Synchronous, QDR II |
Speichergröße | 144Mb (8M x 18) |
Taktfrequenz | 300MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 165-LBGA |
Supplier Device Package | 165-FBGA (15x17) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1613KV18-300BZI Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CY7C1613KV18-300BZI-FT |
S29GL512S10DHSS30
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS33
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS40
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS43
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS50
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS60
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS63
Cypress Semiconductor Corp
S29AL016J55FFAR20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHA020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHA023
Cypress Semiconductor Corp
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
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M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C7
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EP4CE55F29I8L
Intel
EP20K600CB652C8
Intel