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Herstellerteilenummer | CY7C25632KV18-550BZC |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CY7C25632KV18-550BZC |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CY7C25632KV18-550BZC Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
Speichergröße | 72Mb (4M x 18) |
Taktfrequenz | 550MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 165-LBGA |
Supplier Device Package | 165-FBGA (13x15) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C25632KV18-550BZC Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CY7C25632KV18-550BZC-FT |
CY7C1414KV18-250BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1518KV18-333BZXC
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CY7C1513KV18-250BZXC
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CY7C1145KV18-400BZXC
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CY7C1320KV18-250BZXI
Cypress Semiconductor Corp
A54SX08A-PQG208A
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M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel