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Herstellerteilenummer | CY7C25632KV18-550BZXI |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CY7C25632KV18-550BZXI |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CY7C25632KV18-550BZXI Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
Speichergröße | 72Mb (4M x 18) |
Taktfrequenz | 550MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 165-LBGA |
Supplier Device Package | 165-FBGA (13x15) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C25632KV18-550BZXI Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CY7C25632KV18-550BZXI-FT |
S34ML04G100TFB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G100TFI003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G100TFI900
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G100TFI903
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G100TFV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G100TFV003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G200TFA000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G200TFA003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G200TFB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G200TFB003
Cypress Semiconductor Corp
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel