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Herstellerteilenummer | CY7C2670KV18-550BZI |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CY7C2670KV18-550BZI |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CY7C2670KV18-550BZI Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Synchronous, DDR II+ |
Speichergröße | 144Mb (4M x 36) |
Taktfrequenz | 550MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 165-LBGA |
Supplier Device Package | 165-FBGA (15x17) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C2670KV18-550BZI Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CY7C2670KV18-550BZI-FT |
S29GL01GS10DHSS30
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS33
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS40
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS43
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHB013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHB020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHIV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHIV23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHSS10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHSS20
Cypress Semiconductor Corp
XC2V250-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel