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Herstellerteilenummer | CY7C2670KV18-550BZI |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CY7C2670KV18-550BZI |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CY7C2670KV18-550BZI Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Synchronous, DDR II+ |
Speichergröße | 144Mb (4M x 36) |
Taktfrequenz | 550MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 165-LBGA |
Supplier Device Package | 165-FBGA (15x17) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C2670KV18-550BZI Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CY7C2670KV18-550BZI-FT |
S29GL01GS10DHSS30
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS33
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS40
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS43
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHB013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHB020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHIV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHIV23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHSS10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHSS20
Cypress Semiconductor Corp
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel