Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / DB102G
Herstellerteilenummer | DB102G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DB102G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DB102G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 100V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Supplier Device Package | DB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB102G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DB102G-FT |
RDBF158U-13
Diodes Incorporated
RDBF251-13
Diodes Incorporated
RDBF252-13
Diodes Incorporated
RDBF254-13
Diodes Incorporated
RDBF256-13
Diodes Incorporated
RDBF258-13
Diodes Incorporated
RDBF31-13
Diodes Incorporated
RDBF32-13
Diodes Incorporated
RDBF34-13
Diodes Incorporated
RDBF36-13
Diodes Incorporated
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel