Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / DB105G
Herstellerteilenummer | DB105G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DB105G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DB105G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Supplier Device Package | DB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB105G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DB105G-FT |
RDBF252-13
Diodes Incorporated
RDBF254-13
Diodes Incorporated
RDBF256-13
Diodes Incorporated
RDBF258-13
Diodes Incorporated
RDBF31-13
Diodes Incorporated
RDBF32-13
Diodes Incorporated
RDBF34-13
Diodes Incorporated
RDBF36-13
Diodes Incorporated
RDBF38-13
Diodes Incorporated
TT410-13
Diodes Incorporated
A1010B-PQG100I
Microsemi Corporation
APA600-BG456
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2LN
Intel
EP4CE15E22I7
Intel
XC3090A-7PC84C
Xilinx Inc.
XC7K480T-2FF901C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-9FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19I7
Intel
EP4CE55F29I7
Intel