Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / DB106G
Herstellerteilenummer | DB106G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DB106G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DB106G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 800V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Supplier Device Package | DB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB106G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DB106G-FT |
RDBF254-13
Diodes Incorporated
RDBF256-13
Diodes Incorporated
RDBF258-13
Diodes Incorporated
RDBF31-13
Diodes Incorporated
RDBF32-13
Diodes Incorporated
RDBF34-13
Diodes Incorporated
RDBF36-13
Diodes Incorporated
RDBF38-13
Diodes Incorporated
TT410-13
Diodes Incorporated
B483H-2T
Sensata-Crydom
LCMXO2280C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FGG676C
Xilinx Inc.
XC4005E-1PQ208C
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQ208
Microsemi Corporation
A3P030-VQ100
Microsemi Corporation
10CL016ZU484I8G
Intel
10AX027H4F34I3SG
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation