Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / DB107S-G
Herstellerteilenummer | DB107S-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DB107S-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DB107S-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 1000V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 4-SMD, Gull Wing |
Supplier Device Package | DBS |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB107S-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DB107S-G-FT |
GBJL2510-BP
Micro Commercial Co
GBJL1510
Micro Commercial Co
GBJL3510-BP
Micro Commercial Co
TBS20M-TP
Micro Commercial Co
TBS20J-TP
Micro Commercial Co
TBS22J-TP
Micro Commercial Co
TBS22M-TP
Micro Commercial Co
SDB103-TP
Micro Commercial Co
SDB156-TP
Micro Commercial Co
GBPC3504W-BP
Micro Commercial Co
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel