Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / DB2130200L
Herstellerteilenummer | DB2130200L |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-DB2130200L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DB2130200L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 380mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 18ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1.2mA @ 30V |
Kapazität @ Vr, F | 48pF @ 10V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 2-SMD, Flat Lead |
Supplier Device Package | SMINI2-F4-B-B |
Betriebstemperatur - Übergang | 125°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB2130200L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DB2130200L-FT |
SCS302AJTLL
Rohm Semiconductor
SCS306AJTLL
Rohm Semiconductor
SCS308AJTLL
Rohm Semiconductor
SCS310AJTLL
Rohm Semiconductor
SCS312AJTLL
Rohm Semiconductor
SCS315AJTLL
Rohm Semiconductor
SCS304AJTLL
Rohm Semiconductor
SCS320AJTLL
Rohm Semiconductor
RFUS20NS4STL
Rohm Semiconductor
RBQ30NS45BFHTL
Rohm Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel