Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / DB2G32600L1
Herstellerteilenummer | DB2G32600L1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DB2G32600L1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DB2G32600L1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 440mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 10ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 900µA @ 30V |
Kapazität @ Vr, F | 32pF @ 10V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0402 (1005 Metric) |
Supplier Device Package | 0402 (1005 Metric) |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB2G32600L1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DB2G32600L1-FT |
LQA30T300
Power Integrations
QH03TZ600
Power Integrations
QH12TZ600
Power Integrations
LQA03TC600
Power Integrations
LQA06T300
Power Integrations
LQA05TC600
Power Integrations
LQA16T300
Power Integrations
LXA10T600
Power Integrations
LXA04T600
Power Integrations
LQA10T300
Power Integrations
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel