Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / DB2G42600L1
Herstellerteilenummer | DB2G42600L1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DB2G42600L1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DB2G42600L1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 40V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 8.7ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 30µA @ 40V |
Kapazität @ Vr, F | 28pF @ 10V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0402 (1006 Metric) |
Supplier Device Package | 0402 (1005 Metric) |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB2G42600L1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DB2G42600L1-FT |
LQA08TC600
Power Integrations
QH08TZ600
Power Integrations
LXA20T600
Power Integrations
LQA30T300
Power Integrations
QH03TZ600
Power Integrations
QH12TZ600
Power Integrations
LQA03TC600
Power Integrations
LQA06T300
Power Integrations
LQA05TC600
Power Integrations
LQA16T300
Power Integrations
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel