Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / DB2S31100L
Herstellerteilenummer | DB2S31100L |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-DB2S31100L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DB2S31100L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 200mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 560mV @ 200mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 2.2ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 30V |
Kapazität @ Vr, F | 6pF @ 10V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-79, SOD-523 |
Supplier Device Package | SSMini2-F5-B |
Betriebstemperatur - Übergang | 125°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB2S31100L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DB2S31100L-FT |
RFN10BM3STL
Rohm Semiconductor
RR601BM4STL
Rohm Semiconductor
RB075B40STL
Rohm Semiconductor
RB075BM40STL
Rohm Semiconductor
RB085BM-40TL
Rohm Semiconductor
RF301B2STL
Rohm Semiconductor
RF301BM2STL
Rohm Semiconductor
RF305B6STL
Rohm Semiconductor
RF305BM6STL
Rohm Semiconductor
RF501B2STL
Rohm Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel