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Herstellerteilenummer | DD1217AS-H-4R7N=P3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DD1217AS-H-4R7N=P3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | DEM8045C |
DD1217AS-H-4R7N=P3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 4.7µH |
Toleranz | ±30% |
Aktuelle Bewertung | 6.3A |
Strom - Sättigung | 9A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 18 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | - |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.315" L x 0.315" W (8.00mm x 8.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.177" (4.50mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DD1217AS-H-4R7N=P3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DD1217AS-H-4R7N=P3-FT |
34L333C
Murata Power Solutions Inc.
34L472C
Murata Power Solutions Inc.
34L473C
Murata Power Solutions Inc.
34L682C
Murata Power Solutions Inc.
34L683C
Murata Power Solutions Inc.
34103C
Murata Power Solutions Inc.
34104C
Murata Power Solutions Inc.
34105C
Murata Power Solutions Inc.
34122C
Murata Power Solutions Inc.
34152C
Murata Power Solutions Inc.
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation