Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / DDC122TH-7
Herstellerteilenummer | DDC122TH-7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DDC122TH-7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DDC122TH-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 220 Ohms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | SOT-563 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDC122TH-7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DDC122TH-7-FT |
BCR 141S H6727
Infineon Technologies
BCR 148S H6827
Infineon Technologies
BCR 22PN H6727
Infineon Technologies
BCR 48PN H6727
Infineon Technologies
BCR08PNB6327XT
Infineon Technologies
BCR08PNE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR08PNE6433HTMA1
Infineon Technologies
BCR08PNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR08PNH6433XTMA1
Infineon Technologies
BCR08PNH6727XTSA1
Infineon Technologies