Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DDTA113TE-7-F
Herstellerteilenummer | DDTA113TE-7-F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DDTA113TE-7-F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DDTA113TE-7-F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-523 |
Supplier Device Package | SOT-523 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA113TE-7-F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DDTA113TE-7-F-FT |
BCR 166T E6327
Infineon Technologies
BCR 169T E6327
Infineon Technologies
BCR 179T E6327
Infineon Technologies
BCR 183T E6327
Infineon Technologies
BCR 185T E6327
Infineon Technologies
BCR 189T E6327
Infineon Technologies
BCR 191T E6327
Infineon Technologies
BCR 192T E6327
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BCR 196T E6327
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BCR 198T E6327
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