Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DDTA114TE-7-F
Herstellerteilenummer | DDTA114TE-7-F |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-DDTA114TE-7-F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DDTA114TE-7-F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-523 |
Supplier Device Package | SOT-523 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA114TE-7-F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DDTA114TE-7-F-FT |
BCR 158F E6327
Infineon Technologies
BCR 162F E6327
Infineon Technologies
BCR 164F E6327
Infineon Technologies
BCR 166F E6327
Infineon Technologies
BCR 169F E6327
Infineon Technologies
BCR 179F E6327
Infineon Technologies
BCR 183F E6327
Infineon Technologies
BCR 189F E6327
Infineon Technologies
BCR 191F E6327
Infineon Technologies
BCR 192F E6327
Infineon Technologies