Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DDTB114GC-7-F
Herstellerteilenummer | DDTB114GC-7-F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DDTB114GC-7-F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DDTB114GC-7-F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTB114GC-7-F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DDTB114GC-7-F-FT |
DDTA142TE-7
Diodes Incorporated
DDTA143FE-7
Diodes Incorporated
DDTA143TE-7
Diodes Incorporated
DDTA143XE-7
Diodes Incorporated
DDTA143ZE-7
Diodes Incorporated
DDTA144EE-7
Diodes Incorporated
DDTA144GE-7
Diodes Incorporated
DDTA144TE-7
Diodes Incorporated
DDTA144VE-7
Diodes Incorporated
DDTA144WE-7
Diodes Incorporated
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP3CLS100F484I7N
Intel
5SGXMA4K3F40I3N
Intel
EP3C5E144I7
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
AGL060V5-CSG121I
Microsemi Corporation
LFXP6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation