Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DDTB123EC-7-F
Herstellerteilenummer | DDTB123EC-7-F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DDTB123EC-7-F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DDTB123EC-7-F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 39 @ 50mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTB123EC-7-F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DDTB123EC-7-F-FT |
DDTA123EE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA123TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA123YE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA124EE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA124GE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA124TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA125TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA143FE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA143TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA144EE-7-F
Diodes Incorporated
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel
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Intel