Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DDTB123TC-7-F
Herstellerteilenummer | DDTB123TC-7-F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DDTB123TC-7-F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DDTB123TC-7-F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTB123TC-7-F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DDTB123TC-7-F-FT |
DDTA143ZE-7
Diodes Incorporated
DDTA144EE-7
Diodes Incorporated
DDTA144GE-7
Diodes Incorporated
DDTA144TE-7
Diodes Incorporated
DDTA144VE-7
Diodes Incorporated
DDTA144WE-7
Diodes Incorporated
DDTC113TE-7
Diodes Incorporated
DDTC113ZE-7
Diodes Incorporated
DDTC114EE-7
Diodes Incorporated
DDTC114GE-7
Diodes Incorporated
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AGL060V5-VQG100
Microsemi Corporation
10M25DCF484I7G
Intel
5SGXEB6R2F40C3
Intel
5SGXMA7H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F1152C2
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC4VLX160-11FF1148C
Xilinx Inc.
EPF8452AQC160-3AC
Intel