Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DDTC115EE-7-F
Herstellerteilenummer | DDTC115EE-7-F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DDTC115EE-7-F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DDTC115EE-7-F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 100 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 100 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-523 |
Supplier Device Package | SOT-523 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC115EE-7-F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DDTC115EE-7-F-FT |
BCR 179F E6327
Infineon Technologies
BCR 183F E6327
Infineon Technologies
BCR 189F E6327
Infineon Technologies
BCR 191F E6327
Infineon Technologies
BCR 192F E6327
Infineon Technologies
BCR 196F E6327
Infineon Technologies
BCR 198F E6327
Infineon Technologies
BCR 199F E6327
Infineon Technologies
BCR 101T E6327
Infineon Technologies
BCR 103T E6327
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80A
Microsemi Corporation
LCMXO2-640ZE-3TG100I
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A3P1000-FGG484I
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10M40DCF256C7G
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10AX027E3F29I2SG
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