Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DDTC115GE-7-F
Herstellerteilenummer | DDTC115GE-7-F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DDTC115GE-7-F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DDTC115GE-7-F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 100 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-523 |
Supplier Device Package | SOT-523 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC115GE-7-F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DDTC115GE-7-F-FT |
BCR 112T E6327
Infineon Technologies
BCR 114T E6327
Infineon Technologies
BCR 116T E6327
Infineon Technologies
BCR 119T E6327
Infineon Technologies
BCR 129T E6327
Infineon Technologies
BCR 133T E6327
Infineon Technologies
BCR 135T E6327
Infineon Technologies
BCR 139T E6327
Infineon Technologies
BCR 141T E6327
Infineon Technologies
BCR 142T E6327
Infineon Technologies
XC3S50-5VQ100C
Xilinx Inc.
EP3C25F256C8
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XC5VLX50T-2FFG665C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-FG144
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M1AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5F484I
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LCMXO640E-5M100C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R4F40I3SG
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EP3C40F324C7
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