Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DDTC115GE-7
Herstellerteilenummer | DDTC115GE-7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DDTC115GE-7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DDTC115GE-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 100 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-523 |
Supplier Device Package | SOT-523 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC115GE-7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DDTC115GE-7-FT |
DDTB122TC-7
Diodes Incorporated
DDTB142TC-7
Diodes Incorporated
DDTC115GCA-7
Diodes Incorporated
DDTC115TCA-7
Diodes Incorporated
DDTC124ECA-7
Diodes Incorporated
DDTC124GCA-7
Diodes Incorporated
DDTC124TCA-7
Diodes Incorporated
DDTC124XCA-7
Diodes Incorporated
DDTC125TCA-7
Diodes Incorporated
DDTC143FCA-7
Diodes Incorporated
XC7A50T-2FTG256C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50VFC484-2
Intel
5SGXMA7N2F40C2N
Intel
EP4SE360H29C4N
Intel
LCMXO2-7000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6NES
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel
EP1SGX25FF1020C5N
Intel