Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DDTD114EU-7-F
Herstellerteilenummer | DDTD114EU-7-F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DDTD114EU-7-F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DDTD114EU-7-F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Supplier Device Package | SOT-323 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTD114EU-7-F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DDTD114EU-7-F-FT |
DDTC123TCA-7
Diodes Incorporated
DDTC123YCA-7
Diodes Incorporated
DDTC143ECA-7
Diodes Incorporated
DDTC143TCA-7
Diodes Incorporated
DDTC143XCA-7
Diodes Incorporated
DDTC143ZCA-7
Diodes Incorporated
DDTC144TCA-7
Diodes Incorporated
DDTC144VCA-7
Diodes Incorporated
DDTD122LC-7
Diodes Incorporated
DDTD142JC-7
Diodes Incorporated
A40MX02-VQG80A
Microsemi Corporation
LCMXO2-640ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
10AX027E3F29I2SG
Intel
5SGXEB6R3F43I3L
Intel
10AX115U1F45E1SG
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EPF8282ALC84-3
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EP20K200EBC356-2N
Intel