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DF11MR12W1M1B11BOMA1 Image

Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BOMA1

MFG-Teilenummer
DF11MR12W1M1B11BOMA1
verfügbare Anzahl
42430 Stücke
Referenzpreis
USD 107.488
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
CoolSiC™ MOSFET MODULE 1200V 50A
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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DF11MR12W1M1B11BOMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer DF11MR12W1M1B11BOMA1
Zukünftige Teilenummer FT-DF11MR12W1M1B11BOMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie CoolSiC™
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 20mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3950pF @ 800V
Leistung max 20mW
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / fall Module
Supplier Device Package Module
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer DF11MR12W1M1B11BOMA1-FT

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