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Infineon Technologies DF200R12W1H3B27BOMA1
- MFG-Teilenummer
- DF200R12W1H3B27BOMA1
- verfügbare Anzahl
- 38580 Stücke
- Referenzpreis
- USD 41.343664
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kurze Beschreibung
- - IGBT MODULE VCES 1200V 200A
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - IGBTs - Module
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- DF200R12W1H3B27BOMA1.pdf
DF200R12W1H3B27BOMA1 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-DF200R12W1H3B27BOMA1 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| DF200R12W1H3B27BOMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| IGBT-Typ | - |
| Aufbau | 2 Independent |
| Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
| Stromabnehmer (Ic) (max.) | 30A |
| Leistung max | 375W |
| Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 1.3V @ 15V, 30A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / fall | Module |
| Supplier Device Package | Module |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DF200R12W1H3B27BOMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | DF200R12W1H3B27BOMA1-FT |
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