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Infineon Technologies DF200R12W1H3B27BOMA1

Name: DF200R12W1H3B27BOMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: DF200R12W1H3B27BOMA1
Price: 41.343664 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (637 reviews)

MFG-Teilenummer: DF200R12W1H3B27BOMA1

verfügbare Anzahl: 38580 Stücke

Referenzpreis: USD 41.343664

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: - IGBT MODULE VCES 1200V 200A

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - IGBTs - Module

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DF200R12W1H3B27BOMA1.pdf

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DF200R12W1H3B27BOMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DF200R12W1H3B27BOMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-DF200R12W1H3B27BOMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DF200R12W1H3B27BOMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
IGBT-Typ	-
Aufbau	2 Independent
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.)	30A
Leistung max	375W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic	1.3V @ 15V, 30A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)	1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce	2nF @ 25V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	Yes
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / fall	Module
Supplier Device Package	Module
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DF200R12W1H3B27BOMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DF200R12W1H3B27BOMA1-FT

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