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Infineon Technologies DF23MR12W1M1B11BOMA1
- MFG-Teilenummer
- DF23MR12W1M1B11BOMA1
- verfügbare Anzahl
- 88960 Stücke
- Referenzpreis
- USD 74.94
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kurze Beschreibung
- CoolSiC™ MOSFET MODULE 1200V 25A
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- DF23MR12W1M1B11BOMA1.pdf
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | DF23MR12W1M1B11BOMA1 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-DF23MR12W1M1B11BOMA1 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | CoolSiC™ |
| DF23MR12W1M1B11BOMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 25A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 25A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 10mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 620nC @ 15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 800V |
| Leistung max | 20mW |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / fall | Module |
| Supplier Device Package | Module |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DF23MR12W1M1B11BOMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | DF23MR12W1M1B11BOMA1-FT |
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