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Infineon Technologies DF23MR12W1M1B11BOMA1

Name: DF23MR12W1M1B11BOMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: DF23MR12W1M1B11BOMA1
Price: 74.94 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (586 reviews)

MFG-Teilenummer: DF23MR12W1M1B11BOMA1

verfügbare Anzahl: 88960 Stücke

Referenzpreis: USD 74.94

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolSiC™ MOSFET MODULE 1200V 25A

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DF23MR12W1M1B11BOMA1.pdf

DF23MR12W1M1B11BOMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DF23MR12W1M1B11BOMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-DF23MR12W1M1B11BOMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolSiC™
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 25A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 10mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	620nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 800V
Leistung max	20mW
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / fall	Module
Supplier Device Package	Module
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DF23MR12W1M1B11BOMA1-FT

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