Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / DF2B6.8AFS,L3M
Herstellerteilenummer | DF2B6.8AFS,L3M |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-DF2B6.8AFS,L3M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DF2B6.8AFS,L3M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 5V (Max) |
Spannung - Durchschlag (min.) | 5.8V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 7V (Typ) |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 1A (8/20µs) |
Leistung - Spitzenimpuls | - |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | 9pF @ 1MHz |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-923 |
Supplier Device Package | fSC (SOD-923) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF2B6.8AFS,L3M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DF2B6.8AFS,L3M-FT |
ICTE10HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE12/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE12CHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE12HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE15CHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE15HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE18CHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE18HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE5HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE8CHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-2FGG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I2LG
Intel
EP4CE6E22C8L
Intel
5SGXEB5R3F43I3L
Intel
5SGXMA7H3F35I4N
Intel
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
A54SX08A-2TQG100I
Microsemi Corporation
AGL1000V2-CS281
Microsemi Corporation