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Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8M1ACT,L3F

Name: DF2B6.8M1ACT,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: DF2B6.8M1ACT,L3F
Price: 0.04032 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (77 reviews)

MFG-Teilenummer: DF2B6.8M1ACT,L3F

verfügbare Anzahl: 79540 Stücke

Referenzpreis: USD 0.04032

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: - TVS DIODE 5V 20V CST2

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: TVS - Dioden

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DF2B6.8M1ACT,L3F.pdf

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DF2B6.8M1ACT,L3F Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DF2B6.8M1ACT,L3F
Zukünftige Teilenummer	FT-DF2B6.8M1ACT,L3F
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DF2B6.8M1ACT,L3F Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
Art	Zener
Unidirektionale Kanäle	-
Bidirektionale Kanäle	1
Spannung - Reverse Standoff (Typ)	5V (Max)
Spannung - Durchschlag (min.)	6V
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp	20V
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs)	2.5A (8/20µs)
Leistung - Spitzenimpuls	50W
Stromleitungsschutz	No
Anwendungen	General Purpose
Kapazität bei Frequenz	0.3pF @ 1MHz
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	SOD-882
Supplier Device Package	CST2
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DF2B6.8M1ACT,L3F Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DF2B6.8M1ACT,L3F-FT

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