Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / DGTD65T40S2PT
Herstellerteilenummer | DGTD65T40S2PT |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-DGTD65T40S2PT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DGTD65T40S2PT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | Field Stop |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 650V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
Leistung max | 230W |
Energie wechseln | 500µJ (on), 400µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 60nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 6ns/55ns |
Testbedingung | 400V, 40A, 10 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 60ns |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DGTD65T40S2PT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DGTD65T40S2PT-FT |
IGB20N65S5ATMA1
Infineon Technologies
IKFW60N60EH3XKSA1
Infineon Technologies
DGTD120T25S1PT
Diodes Incorporated
DGTD65T40S1PT
Diodes Incorporated
AIHD03N60RFATMA1
Infineon Technologies
AIHD04N60RATMA1
Infineon Technologies
AIHD04N60RFATMA1
Infineon Technologies
AIHD06N60RATMA1
Infineon Technologies
AIHD06N60RFATMA1
Infineon Technologies
AIHD10N60RATMA1
Infineon Technologies
LCMXO256E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL050S-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35C4
Intel
5SGXMA7H2F35C2
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
M1AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP6C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SCM153I7G
Intel
EP20K100EBC356-1
Intel
EP1C4F324C7N
Intel