Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / DMC5610E0R
Herstellerteilenummer | DMC5610E0R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DMC5610E0R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DMC5610E0R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Supplier Device Package | SMini5-F3-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMC5610E0R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DMC5610E0R-FT |
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EP20K100ETC144-1
Intel
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1FGG676I
Xilinx Inc.
M1AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C5F256C7
Intel
XC7VX485T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
AGL400V5-CSG196I
Microsemi Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K300ERC208-2X
Intel