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Diodes Incorporated DMG3415UFY4Q-7

Name: DMG3415UFY4Q-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG3415UFY4Q-7
Price: 0.141048 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (394 reviews)

MFG-Teilenummer: DMG3415UFY4Q-7

verfügbare Anzahl: 79850 Stücke

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMG3415UFY4Q-7.pdf

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DMG3415UFY4Q-7 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMG3415UFY4Q-7
Zukünftige Teilenummer	FT-DMG3415UFY4Q-7
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DMG3415UFY4Q-7 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	16V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	2.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	282pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	650mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	X2-DFN2015-3
Paket / fall	3-XDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG3415UFY4Q-7 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMG3415UFY4Q-7-FT

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