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Diodes Incorporated DMG6601LVT-7
- MFG-Teilenummer
- DMG6601LVT-7
- verfügbare Anzahl
- 90260 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.07848
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Diodes Incorporated
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- DMG6601LVT-7.pdf
DMG6601LVT-7 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | DMG6601LVT-7 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-DMG6601LVT-7 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| DMG6601LVT-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.8A, 2.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 422pF @ 15V |
| Leistung max | 850mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Supplier Device Package | TSOT-26 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMG6601LVT-7 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | DMG6601LVT-7-FT |
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