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Diodes Incorporated DMG6602SVTX-7
- MFG-Teilenummer
- DMG6602SVTX-7
- verfügbare Anzahl
- 13450 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.09672
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Diodes Incorporated
- Kurze Beschreibung
- Automotive, AEC-Q101 MOSFET BVDSS 25V-30V TSOT26 TR
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- DMG6602SVTX-7.pdf
DMG6602SVTX-7 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | DMG6602SVTX-7 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-DMG6602SVTX-7 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| DMG6602SVTX-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N and P-Channel Complementary |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.4A (Ta), 2.8A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.1A, 10V, 95 mOhm @ 2.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V, 9nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 15V, 420pF @ 15V |
| Leistung max | 840mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Supplier Device Package | TSOT-26 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMG6602SVTX-7 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | DMG6602SVTX-7-FT |
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