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DMJ70H1D3SJ3 Image

Diodes Incorporated DMJ70H1D3SJ3

MFG-Teilenummer
DMJ70H1D3SJ3
verfügbare Anzahl
37960 Stücke
Referenzpreis
USD 0.76096
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH TO251
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
DMJ70H1D3SJ3.pdf
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DMJ70H1D3SJ3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer DMJ70H1D3SJ3
Zukünftige Teilenummer FT-DMJ70H1D3SJ3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
DMJ70H1D3SJ3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 4.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 13.9nC @ 10V
Vgs (Max) -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 351pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 41W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 155°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-251
Paket / fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMJ70H1D3SJ3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer DMJ70H1D3SJ3-FT

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