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Diodes Incorporated DMJ70H900HJ3

Name: DMJ70H900HJ3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMJ70H900HJ3
Price: 1.15808 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (151 reviews)

MFG-Teilenummer: DMJ70H900HJ3

verfügbare Anzahl: 32510 Stücke

Referenzpreis: USD 1.15808

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101 MOSFET BVDSS 651V 800V TO251

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMJ70H900HJ3.pdf

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DMJ70H900HJ3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMJ70H900HJ3
Zukünftige Teilenummer	FT-DMJ70H900HJ3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101
DMJ70H900HJ3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	18.4nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	603pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	68W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-251
Paket / fall	TO-251-3, IPak, Short Leads
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMJ70H900HJ3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMJ70H900HJ3-FT

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