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Diodes Incorporated DMJ7N70SK3-13

MFG-Teilenummer
DMJ7N70SK3-13
verfügbare Anzahl
46900 Stücke
Referenzpreis
USD 0.6264
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 700V 3.9A
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
DMJ7N70SK3-13.pdf
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DMJ7N70SK3-13 Spezifikationen

Herstellerteilenummer DMJ7N70SK3-13
Zukünftige Teilenummer FT-DMJ7N70SK3-13
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
DMJ7N70SK3-13 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 3.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 13.9nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 351pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 28W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package TO-252
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMJ7N70SK3-13 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer DMJ7N70SK3-13-FT

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