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DMN1019UVT-7 Image

Diodes Incorporated DMN1019UVT-7

MFG-Teilenummer
DMN1019UVT-7
verfügbare Anzahl
32900 Stücke
Referenzpreis
USD 0.11768
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
DMN1019UVT-7.pdf
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DMN1019UVT-7 Spezifikationen

Herstellerteilenummer DMN1019UVT-7
Zukünftige Teilenummer FT-DMN1019UVT-7
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
DMN1019UVT-7 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 10.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 50.4nC @ 8V
Vgs (Max) ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2588pF @ 10V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.73W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package TSOT-26
Paket / fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN1019UVT-7 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer DMN1019UVT-7-FT

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