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Diodes Incorporated DMN10H099SFG-7

Name: DMN10H099SFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H099SFG-7
Price: 0.236944 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (453 reviews)

MFG-Teilenummer: DMN10H099SFG-7

verfügbare Anzahl: 28300 Stücke

Referenzpreis: USD 0.236944

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMN10H099SFG-7.pdf

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DMN10H099SFG-7 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMN10H099SFG-7
Zukünftige Teilenummer	FT-DMN10H099SFG-7
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DMN10H099SFG-7 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	4.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	25.2nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1172pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	980mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerDI3333-8
Paket / fall	8-PowerWDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN10H099SFG-7 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMN10H099SFG-7-FT

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