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Diodes Incorporated DMN10H170SVT-7

MFG-Teilenummer
DMN10H170SVT-7
verfügbare Anzahl
12170 Stücke
Referenzpreis
USD 0.16764
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
DMN10H170SVT-7.pdf
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DMN10H170SVT-7 Spezifikationen

Herstellerteilenummer DMN10H170SVT-7
Zukünftige Teilenummer FT-DMN10H170SVT-7
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
DMN10H170SVT-7 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 2.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 9.7nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1167pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.2W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package TSOT-26
Paket / fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN10H170SVT-7 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer DMN10H170SVT-7-FT

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