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Diodes Incorporated DMN10H220LVT-13

MFG-Teilenummer
DMN10H220LVT-13
verfügbare Anzahl
66630 Stücke
Referenzpreis
USD 0.16176
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
DMN10H220LVT-13.pdf
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DMN10H220LVT-13 Spezifikationen

Herstellerteilenummer DMN10H220LVT-13
Zukünftige Teilenummer FT-DMN10H220LVT-13
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
DMN10H220LVT-13 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 1.87A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 401pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.67W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package TSOT-26
Paket / fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN10H220LVT-13 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer DMN10H220LVT-13-FT

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