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Diodes Incorporated DMN2005UFG-7

Name: DMN2005UFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2005UFG-7
Price: 0.219456 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (268 reviews)

MFG-Teilenummer: DMN2005UFG-7

verfügbare Anzahl: 12150 Stücke

Referenzpreis: USD 0.219456

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMN2005UFG-7.pdf

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DMN2005UFG-7 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMN2005UFG-7
Zukünftige Teilenummer	FT-DMN2005UFG-7
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DMN2005UFG-7 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	18.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	164nC @ 10V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6495pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.05W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerDI3333-8
Paket / fall	8-PowerWDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2005UFG-7 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMN2005UFG-7-FT

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