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Diodes Incorporated DMN2011UFDE-13

Name: DMN2011UFDE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2011UFDE-13
Price: 0.205384 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (777 reviews)

MFG-Teilenummer: DMN2011UFDE-13

verfügbare Anzahl: 51770 Stücke

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMN2011UFDE-13.pdf

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DMN2011UFDE-13 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMN2011UFDE-13
Zukünftige Teilenummer	FT-DMN2011UFDE-13
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DMN2011UFDE-13 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	11.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	84nC @ 10V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3372pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	610mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	U-DFN2020-6 (Type E)
Paket / fall	6-UDFN Exposed Pad
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2011UFDE-13 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMN2011UFDE-13-FT

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