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Diodes Incorporated DMN2013UFDE-7
- MFG-Teilenummer
- DMN2013UFDE-7
- verfügbare Anzahl
- 88230 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.172216
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Diodes Incorporated
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- DMN2013UFDE-7.pdf
DMN2013UFDE-7 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | DMN2013UFDE-7 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-DMN2013UFDE-7 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| DMN2013UFDE-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25.8nC @ 8V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2453pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 660mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Paket / fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMN2013UFDE-7 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | DMN2013UFDE-7-FT |
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