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Herstellerteilenummer | DMN2013UFDE-7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DMN2013UFDE-7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DMN2013UFDE-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25.8nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2453pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 660mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type E) |
Paket / fall | 6-UDFN Exposed Pad |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2013UFDE-7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DMN2013UFDE-7-FT |
DMP3056LSS-13
Diodes Incorporated
DMS3016SSS-13
Diodes Incorporated
DMS3016SSSA-13
Diodes Incorporated
DMG4435SSS-13
Diodes Incorporated
DMG4712SSS-13
Diodes Incorporated
DMG4812SSS-13
Diodes Incorporated
DMN3016LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3024LSS-13
Diodes Incorporated
DMN6066SSS-13
Diodes Incorporated
DMP3015LSS-13
Diodes Incorporated
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel