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Diodes Incorporated DMN2014LHAB-7

Name: DMN2014LHAB-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2014LHAB-7
Price: 0.170992 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (776 reviews)

MFG-Teilenummer: DMN2014LHAB-7

verfügbare Anzahl: 94380 Stücke

Referenzpreis: USD 0.170992

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMN2014LHAB-7.pdf

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DMN2014LHAB-7 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMN2014LHAB-7
Zukünftige Teilenummer	FT-DMN2014LHAB-7
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DMN2014LHAB-7 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1550pF @ 10V
Leistung max	800mW
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	6-UFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package	U-DFN2030-6 (Type B)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2014LHAB-7 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMN2014LHAB-7-FT

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